5pz IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 - Confezione da 5

Name: 5pz IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 - Confezione da 5
Brand: satkit
SKU: 1C090203
Price: 1.71 EUR
Availability: InStock

Marchio: satkit

Sii il primo a recensire questo prodotto

1,71€

IVA inclusa (IVA escl.: 1,40€)

Disponibile - Spedizione immediata

Consegna standard Mer, Apr 22 - Ven, Apr 24

Consegna espressa Lun, Apr 20 - Mar, Apr 21

Resi entro 30 giorni

Quantità

Resi gratuiti entro 30 giorni

Transazione sicura

Consegna gratuita Per ordini superiori a 300€

Resi facili Politica di reso di 30 giorni

Pagamento sicuro Checkout 100% sicuro

Garanzia di qualità Solo prodotti originali

La confezione da 5pz IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 è un set di transistor MOSFET a canale N progettati per applicazioni elettroniche che richiedono alta efficienza e capacità di gestione di corrente e tensione.

Caratteristiche principali:

Categoría: N-Canale MOSFET
Voltaje máximo: 100V
Corriente máxima: 33A
Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
Voltaje de la puerta: 20V
Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
Disipación de potencia: 130W
Encapsulado: TO-220
Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C

Usi tipici:

Controllo di motori elettrici in progetti DIY e professionali.
Amplificatori di potenza e alimentatori switching.
Interruttori elettronici per carichi ad alta corrente.
Applicazioni in robotica e sistemi embedded che richiedono alta efficienza.

Compatibilità: Questo transistor è compatibile con circuiti che operano entro le sue specifiche elettriche, soprattutto in progetti che richiedono un MOSFET a canale N con elevata capacità di corrente e tensione.

Questa confezione da 5 unità consente di avere ricambi o di realizzare più circuiti contemporaneamente, garantendo prestazioni affidabili e durature grazie al suo encapsulado TO-220 che facilita la dissipazione termica.

Confezione da 5 transistor IRF540N MOSFET a canale N
Tensione massima di 100V per applicazioni impegnative
Corrente massima di 33A per carichi elevati
Bassa resistenza interna di 44mΩ per una maggiore efficienza
Dissipazione di potenza di 130W per uso prolungato
Package TO-220 per una migliore dissipazione termica
Tempo di commutazione rapido di 35ns
Temperatura di esercizio da -55°C a 175°C

Domande e risposte dei clienti

Quines precaucions d’instal·lació cal tenir per evitar danys per sobreescalfament o sobrecorrent al IRF540N?

Per evitar danys, és fonamental assegurar una dissipació de calor correcta utilitzant un dissipador adequat si la dissipació supera 2 W, i respectar els límits: màx. 100 V drenador-font, 33 A continus i 130 W de potència. A més, cal evitar pics que superin el voltatge de porta de 20 V i protegir-lo de descàrregues electrostàtiques abans de la instal·lació.

Amb quins tipus de senyals de control i circuits de lògica és compatible la porta del IRF540N?

El IRF540N necessita típicament una tensió de porta d’almenys 10 V per a una conducció eficient, tot i que pot començar a activar-se des de 2-4 V (Vgs(th)). Funciona bé amb controladors MOSFET o circuits lògics amb etapa d’adaptació; no és recomanable connectar-lo directament a microcontroladors de 3.3 V sense un driver intermedi.

Quin tipus de protecció o normes de seguretat ha de complir la instal·lació d’aquests MOSFET en sistemes industrials?

En sistemes industrials, la instal·lació ha de contemplar protecció contra sobrecàrregues (fusibles o disjuntors), supressió de transitoris (díodes flyback o varistors), i complir normatives com IEC 60950 (seguretat elèctrica) i ESD (protecció contra descàrregues electrostàtiques) per assegurar una operació segura i la durabilitat del component.

What installation precautions are needed to avoid damage from overheating or overcurrent in the IRF540N?

To avoid damage, it is essential to ensure proper heat dissipation by using a suitable heatsink if dissipation exceeds 2 W, and to respect the limits: max 100 V drain-source, 33 A continuous and 130 W power. In addition, avoid spikes above the 20 V gate voltage and protect against electrostatic discharge before installation.

What types of control signals and logic circuits is the IRF540N gate compatible with?

The IRF540N typically needs a gate voltage of at least 10 V for efficient conduction, although it may begin to turn on from 2-4 V (Vgs(th)). It works well with MOSFET drivers or logic circuits with a matching stage; it is not recommended to connect it directly to 3.3 V microcontrollers without an intermediate driver.

What type of protection or safety standards should the installation of these MOSFETs comply with in industrial systems?

In industrial systems, installation should include overload protection (fuses or circuit breakers), transient suppression (flyback diodes or varistors), and compliance with standards such as IEC 60950 (electrical safety) and ESD (electrostatic discharge protection) to ensure safe operation and component durability.

What installation precautions are needed to avoid damage from overheating or overcurrent in the IRF540N?

Which control signals and logic circuits is the IRF540N gate compatible with?

What type of protection or safety standards should the installation of these MOSFETs comply with in industrial systems?

In industrial systems, installation should include overload protection (fuses or circuit breakers), transient suppression (flyback diodes or varistors), and compliance with standards such as IEC 60950 (electrical safety) and ESD protection to ensure safe operation and component durability.

Vilka installationsförsiktigheter behövs för att undvika skador från överhettning eller överström i IRF540N?

För att undvika skador är det viktigt att säkerställa korrekt värmeavledning med en lämplig kylfläns om förlusteffekten överstiger 2 W, samt att respektera gränserna: max 100 V drain-source, 33 A kontinuerligt och 130 W effekt. Undvik dessutom spänningsspikar över gate-spänningen på 20 V och skydda mot elektrostatiska urladdningar före installation.