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5pz IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 - Confezione da 5

Marchio: satkit

1,71

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La confezione da 5pz IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 è un set di transistor MOSFET a canale N progettati per applicazioni elettroniche che richiedono alta efficienza e capacità di gestione di corrente e tensione.

Caratteristiche principali:

  • Categoría: N-Canale MOSFET
  • Voltaje máximo: 100V
  • Corriente máxima: 33A
  • Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
  • Voltaje de la puerta: 20V
  • Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
  • Disipación de potencia: 130W
  • Encapsulado: TO-220
  • Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C

Usi tipici:

  • Controllo di motori elettrici in progetti DIY e professionali.
  • Amplificatori di potenza e alimentatori switching.
  • Interruttori elettronici per carichi ad alta corrente.
  • Applicazioni in robotica e sistemi embedded che richiedono alta efficienza.

Compatibilità: Questo transistor è compatibile con circuiti che operano entro le sue specifiche elettriche, soprattutto in progetti che richiedono un MOSFET a canale N con elevata capacità di corrente e tensione.

Questa confezione da 5 unità consente di avere ricambi o di realizzare più circuiti contemporaneamente, garantendo prestazioni affidabili e durature grazie al suo encapsulado TO-220 che facilita la dissipazione termica.

  • Confezione da 5 transistor IRF540N MOSFET a canale N
  • Tensione massima di 100V per applicazioni impegnative
  • Corrente massima di 33A per carichi elevati
  • Bassa resistenza interna di 44mΩ per una maggiore efficienza
  • Dissipazione di potenza di 130W per uso prolungato
  • Package TO-220 per una migliore dissipazione termica
  • Tempo di commutazione rapido di 35ns
  • Temperatura di esercizio da -55°C a 175°C

Domande e risposte dei clienti

Quali precauzioni di installazione bisogna adottare per evitare danni da surriscaldamento o sovracorrente nell’IRF540N?

Per evitare danni, è fondamentale garantire una corretta dissipazione del calore utilizzando un dissipatore adeguato se la dissipazione supera 2 W, e rispettare i limiti: max 100 V drain-source, 33 A continui e 130 W di potenza. Inoltre, evitare picchi che superino la tensione di gate di 20 V e proteggere il componente dalle scariche elettrostatiche prima dell’installazione.

Con quali tipi di segnali di controllo e circuiti logici è compatibile il gate dell’IRF540N?

L’IRF540N richiede tipicamente una tensione di gate di almeno 10 V per una conduzione efficiente, anche se può iniziare ad attivarsi da 2-4 V (Vgs(th)). Funziona bene con driver MOSFET o circuiti logici con stadio di adattamento; non è consigliabile collegarlo direttamente a microcontrollori da 3.3 V senza un driver intermedio.

Quale tipo di protezione o norme di sicurezza deve rispettare l’installazione di questi MOSFET in sistemi industriali?

Nei sistemi industriali, l’installazione deve prevedere protezione contro i sovraccarichi (fusibili o interruttori automatici), soppressione dei transitori (diodi flyback o varistori) e conformità a normative come IEC 60950 (sicurezza elettrica) ed ESD (protezione contro le scariche elettrostatiche) per garantire un funzionamento sicuro e la durata del componente.

A cosa serve il transistor IRF540N MOSFET?

L'IRF540N è un transistor MOSFET a canale N utilizzato per controllare carichi elettrici ad alta corrente e tensione in circuiti elettronici, come motori, amplificatori e alimentatori.

Quante unità include questa confezione?

Questa confezione include 5 unità del transistor IRF540N MOSFET.

Qual è il package dell'IRF540N?

L'IRF540N viene fornito in package TO-220, che facilita la dissipazione termica e il montaggio nei circuiti.

Qual è la tensione e la corrente massima che supporta questo transistor?

Il transistor supporta una tensione massima di 100V e una corrente massima di 33A.

È adatto per progetti che richiedono un'elevata dissipazione di potenza?

Sì, questo transistor ha una dissipazione di potenza massima di 130W, ideale per applicazioni che richiedono una gestione di potenza elevata.

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